Schulprojekt:Prototypenbau/Elektronik/Emitterverstaerker

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Berechnung eines Wechselspannungsverstärkers in Emitterschaltung

Bei dieser Schaltung dient der Widerstand Re zur termischen Stabilisierung des Arbeitspunkes.

Steigt der Kollektorstrom durch eine Temperaturerhöhung, so fällt an Re eine höhere Spannung ab. Dadurch sinkt Ube und damit auch Ic. (Stromgegenkopplung)

Wechselspannungsmäßig wird Re durch den Kondensator Ce kurzgeschlossen.

Durch die Koppelkondensatoren Ce und Ca wird die Schaltung Gleichspannungsmäßig getrennt.

Der Querstrom durch R1 wird 10 mal größer als Ib im Arbeitspunkt gewählt, damit bleibt das Basispotential bei kleinen Schwankungen konstant.

Datei:Emitterverstaerker.svg

Dimensionierung :

Gegeben:

Versorgungsspannung   Ub:=9V

Kollektorstrom    Ic:=3𝑚𝐴

Stromverstärkung (Auch hfe genannt) laut Datenblatt BC546    B:=310

Basis Emitter Spannung    U𝐵𝐸:=0.7V

Gleichspannungsabfall am Emitterwiderstand    U𝑟𝑒1:=2V

Temperaturspannung    UT:=26𝑚𝑉

Earlyspannung    Uy:=120V

Lastwiderstand    RL:=15000𝑜𝑚

untere Grenzfrequenz    fu:=20𝐻𝑧

Innenwiderstand des Generators    Ri:=500𝑜𝑚

kΩ:=1000Ω   μ𝐴:=0.001𝑚𝐴   μ𝐹:=0.000001F

Berechnung des Arbeitspunktes

Der Arbeitspunkt soll etwa in der Mitte des Aussteuerbereichs liegen


U𝑐𝑒:=(UbU𝑟𝑒1)2    
U𝑐𝑒=3.500V   
(1)
Spannung am Kollektorwiderstand   
U𝑟𝑐:=UbU𝑐𝑒U𝑟𝑒1   
U𝑟𝑐=3.500V   
(2)
Kollektorwiderstand    
RC:=U𝑟𝑐Ic   
RC=1.167kΩ   
(3)

Der Emitterstrom ist etwa gleich dem Kollektorstrom (Ie=Ic+Ib)


   RE:=U𝑟𝑒1Ic   RE=666.7Ω   
(4)
Basisstrom   IB:=IcB   IB=9.677μ𝐴   
(5)
Querstrom soll mindestens 10 mal Basisstrom sein.   I1:=10IB    I1=96.77μ𝐴   
(6)
Basisspannungsteilerwiderstand R1    R1:=(UbU𝑟𝑒1U𝐵𝐸)I1   R1=65.10kΩ   
(7)
Basisspannungsteilerwiderstand R2   R2:=(U𝑟𝑒1+U𝐵𝐸)I1IB   R2=31.00kΩ   
(8)

Dimensionierung des Emitterkondensators und der Koppelkondensatoren

Der Blindwiderstand des Kondensators Ce ist frequenzabhängig. Mit abnehmender Frequenz steigt der kapazitive Blindwiderstand und die gegenkoppelnde Wirkung des Emitterwiderstandes nimmt zu. Bei der unteren Grenzfrequenz fu hat die Transistorstufe noch 0,707 der maximalen Verstärkung.

Die Grenzfrequenz ist jene Frequenz, bei der die Ausgangsspannung um 3dB sinkt.

Die Kondensatoren bilden mit den Widerständen Hochpässe. Soll der Verstärker die Grenzfrequenz fu haben dann müssen die einzelnen Hochpässe die Grenzfrequenz fg aufweisen.


Grenzfrequenz    fg:=fu3   fg=11.55𝐻𝑧   
(9)
Steilheit in mA/Volt  St:=IcUT    St=0.1154S   
(10)
Basis - Emitter-widerstand    r𝑏𝑒:=BSt   r𝑏𝑒=2 687Ω   
(11)
Eingangswiderstand des Verstärkers   re:=11R1+1R2+1r𝑏𝑒   re=2 382Ω
(12)
Kollektor - Emitter-widerstand   r𝑐𝑒:=(Uy+U𝑐𝑒)Ic   r𝑐𝑒=41.17kΩ   
(13)
Ausgangswiderstand der Schaltung   ra:=(RCr𝑐𝑒)RC+r𝑐𝑒   ra=1 135Ω   
(14)
Eingangskoppelkondensator    Ce:=12πfg(re+Ri)    Ce=4.783μ𝐹   
(15)
Emitterkondensator    CE:=St2πfg   CE=1 590μ𝐹    
(16)
Ausgangskoppelkondensator    Ca:=12πfg(RL+ra)    Ca=0.8543μ𝐹   
(17)
Spannungsverstärkung    vu:=1St(1r𝑐𝑒)+(1RC)+(1RL)   vu=121.7    
(18)
Datei:Emitterverstaerker sim.svg

Diagramm untere Grenzfrequenz

Datei:Emitterverstaerker Spannung.svg

Diagramm der Verstärkung

Datei:Emitterverstaerker ampl.svg